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15 Treffer

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    Room‐temperature laser operation of a (Ga,In)As/Ga(As,Bi)/(Ga,In)As W‐type laser diode
    Hepp, Thilo ; Lehr, Jannik ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 58 (2022), Heft 2, S. 70-72
    Online academicJournal
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    25 W pulses from 1.5 μm double‐asymmetric waveguide, 100 μm stripe laser diode with bulk active layer
    Hallman, L. W. ; Ryvkin, B. S. ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 57 (2021-11-01), Heft 23, S. 891-893
    Online academicJournal
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    Current tuned slotted Y‐branch laser for wafer thickness measurements with THz radiation
    Surkamp, N. ; Gerling, A. ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 57 (2021-11-01), Heft 24, S. 936-938
    Online academicJournal
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    A 3.9 µm Ho3+:BaY2F8 laser directly pumped by laser diodes
    Ma, Chaoqun ; Zhang, Ying ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 57 (2021-09-01), Heft 20, S. 779-781
    Online academicJournal
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  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Serial data transmission at 224 Gbit/s applying directly modulated 850 and 910 nm VCSELs
    N. Ledentsov Jr. ; Chorchos, Ł. ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 57 (2021-09-01), Heft 19, S. 735-737
    Online academicJournal
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Room‐temperature quantum cascade laser packaged module at ∼8 μm designed for high‐frequency response
    Yang, Ke ; Liu, Junqi ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 57 (2021-08-01), Heft 17, S. 665-667
    Online academicJournal
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Novel 1064 nm DBR lasers combining active layer removal and surface gratings
    Brox, O. ; Wenzel, H. ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 57 (2021-07-01), Heft 14, S. 559-561
    Online academicJournal
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Novel 900 nm diode lasers with epitaxially stacked multiple active regions and tunnel junctions
    Wenzel, Hans ; Maaßdorf, Andre ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 57 (2021-05-01), Heft 11, S. 445-447
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Enhancement of sensing range of Brillouin optical time‐domain reflectometry system up to 150 km with in‐line bi‐directional erbium‐doped fibre amplifications
    Dr Pierre Clement ; Dr Renaud Gabet ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 57 (2021-02-01), Heft 3, S. 142-144
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Parallel‐to‐orthogonal polarisation‐state converter for dual‐mode Nd:YVO4 microchip laser
    Hyodo, Masaharu ; Zhang, Yun ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 57 (2021-10-01), Heft 21, S. 802-803
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Wafer‐fused 1300 nm VCSELs with an active region based on superlattice
    Blokhin, Sergey ; Babichev, Andrey ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 57 (2021-08-01), Heft 18, S. 697-698
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    E‐band InAs quantum dot laser on InGaAs metamorphic buffer layer with filter layer
    Kwoen, J. ; Zhan, W. ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 57 (2021-07-01), Heft 14, S. 567-568
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Proton implantation in just above active region for improvement of power conversion efficiency of VCSELs
    Miyamoto, Tomoyuki ; Sakamoto, Hayato
    In: Electronics Letters, Jg. 57 (2021-07-01), Heft 15, S. 587-588
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Demonstration of a 20‐W membrane‐external‐cavity surface‐emitting laser for sodium guide star applications
    Priante, D. ; Zhang, M. ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 57 (2021-04-01), Heft 8, S. 337-338
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    Full‐range wavelength switching at tunable distributed amplification‐DFB laser with high‐accuracy feedforward control
    Niiya, Yuri ; Kuboki, Takeshi ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 57 (2021-03-01), Heft 6, S. 270-271
    Online academicJournal
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