ОБРАЗОВАНИЕ КОМПЛЕКСОВ ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ НИКЕЛЕМ И МАРГАНЦЕМ В КРЕМНИИ

It has been shown that the electrical properties of silicon containing binary nanocomplexes differ from the properties of conventional semiconductors, including silicon doped with various impurity atoms, with optical and electrical properties. Nanocomplexes that form silicon when manganese and nickel are introduced at high temperatures have been reported to affect optically active oxygen. The results obtained show that doping with manganese and nickel helps to reduce the concentration of optically active oxygen. [ABSTRACT FROM AUTHOR]

Показано, что электрические свойства кремния, содержащего бинарные нанокомплексы, отличаются от свойств обычных полупроводников, в том числе кремния, легированного различными примесных ато-мами, с оптическими и электрическими свойствами. Сообщалось, что нанокомплексы, которые образуют кремний, когда марганец и никель вводятся при высоких температурах, влияют на оптически активный кислород. Полученные результаты показывают, что легирование марганца и никеля способствуют умень- шению концентрация оптически активного кислорода. [ABSTRACT FROM AUTHOR]